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9月4日-6日，第十三屆（2025年）中國電子專用設備工業(yè)協(xié)會半導體設備年會在無錫召開。作為我國半導體領域的年度盛會，快盈viii受邀參加本次論壇，并帶來專題報告《單晶爐在光伏技術迭代與半導體先進制程中的核心突破》，展示了公司在拉晶環(huán)節(jié)設備上的技術創(chuàng)新與工藝突破。 
近年來，快盈viii旗下控股子公司松瓷機電持續(xù)深耕半導體晶體生長設備，先后推出硅部件爐、IC級半導體單晶爐、純化爐、6 / 8/ 12英寸碳化硅長晶爐及區(qū)熔爐等多款核心設備，為客戶提供系統(tǒng)的半導體解決方案。
在此背景下，快盈viii松瓷研發(fā)高級經理劉建永先生和高級工程師桑亞鵬先生以“單晶爐在光伏技術迭代與半導體先進制程中的核心突破”為題，分享了快盈viii的思考與實踐。桑亞鵬先生指出：在半導體領域，硅單晶爐生長出的高純度、低缺陷的單晶硅棒，是制造先進芯片的底層基礎，直接關系到集成電路的精度與可靠性。為此，快盈viii持續(xù)加大研發(fā)力量，推動拉晶領域的多款核心設備在效率、穩(wěn)定性與智能化上持續(xù)突破，助力半導體工藝革新與產業(yè)升級。
半導體單晶爐
·坩堝升降速度(慢速)：
調速范圍:0~120mm/h；精度:0.012 mm/h；
·坩堝旋轉速度：
調速范圍:0.01~20.00rpm；精度:0.001rpm；
·籽晶升降速度(慢速)：
調速范圍:0.1~400mm/h；精度:0.05 mm/h；
·籽晶旋轉速度：
調速范圍:0.01~30.00rpm；精度:0.001rpm；擺幅:±1.5mm；
柜式碳化硅長晶爐
·控壓/控溫精度(°C)：±1Pa/±0.2°C；
·極限真空度(Pa)：≤5×10??Pa(1.5h抽空數(shù)據(jù))；
區(qū)熔爐
·長晶最大行程：2500mm；
·拉晶速度：0-30mm/min可調；
·快速升降：600mm/min；
·主軸軸端最小晶向跳動：≤0.15mm；
未來，快盈viii將繼續(xù)與行業(yè)伙伴攜手，共同探索前沿工藝與應用場景，加速半導體關鍵裝備的國產化進程，助力產業(yè)邁向更高質量的發(fā)展新階段。
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